[实用新型]可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件

摘要

本实用新型公开一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件，与现有技术不同的是In_xAl_yGa_1‑x‑yN势垒层由矩阵排列的多个环组成，环的外侧是覆盖于沟道层上的源电极，环的内侧是覆盖于沟道层上的漏电极，在In_xAl_yGa_1‑x‑yN势垒层、源电极及漏电极上有第一介质钝化层，所述栅电极是位于第一介质钝化层上且置于源电极及漏电极之间的环形，栅电极的下部穿过第一介质钝化层至In_xAl_yGa_1‑x‑yN势垒层表面，在所述第一介质钝化层及栅电极的上表面覆有第二介质钝化层，在所述漏电极上有穿过第一介质钝化层及第二介质钝化层的通孔，在通孔内及第二介质钝化层上有扩展电极。

主权项

1.一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件，由下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、沟道层（3），在沟道层（3）上有InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4）、源电极（5）、漏电极（6）以及栅电极（7），其特征在于：所述InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4）由矩阵排列的多个环组成，环的外侧是覆盖于沟道层（3）上的源电极（5），环的内侧是覆盖于沟道层（3）上的漏电极（6），在InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4）、源电极（5）及漏电极（6）上有第一介质钝化层（21），所述栅电极（7）是位于第一介质钝化层（21）上且置于源电极（5）及漏电极（6）之间的环形，栅电极（7）的下部穿过第一介质钝化层（21）至InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4）表面，在所述第一介质钝化层（21）及栅电极（7）的上表面覆有第二介质钝化层（22），在所述漏电极（6）上有穿过第一介质钝化层（21）及第二介质钝化层（22）的通孔，在通孔内及第二介质钝化层（22）上有扩展电极（23）。