[实用新型]晶体管结构及存储器结构

摘要

本实用新型提供一种晶体管结构及存储器结构，包括：半导体衬底，具有位于半导体衬底内的沟槽结构；第一栅氧化层，位于沟槽结构的底部及侧壁；第二栅氧化层，位于第一栅氧化层表面，且位于沟槽结构底部的第二栅氧化层的厚度小于位于沟槽结构侧壁的第二栅氧化层的厚度；第一栅氧化层与第二栅氧化层共同构成一双层结构的栅氧化层；导电层，位于栅氧化层的底部及局部侧壁；填孔绝缘层，填充于沟槽结构内；半导体衬底还形成有源区和漏区，源区位于沟槽结构一侧的半导体衬底内，漏区位于沟槽结构另一侧的半导体衬底内。本实用新型的晶体管结构可以显著减小栅诱导漏极泄漏电流，进而提升器件的整体性能。

主权项

1.一种晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：半导体衬底，具有位于所述半导体衬底内的沟槽结构；第一栅氧化层，位于所述沟槽结构的底部及侧壁，且位于所述沟槽结构底部的所述第一栅氧化层与位于所述沟槽结构侧壁的所述第一栅氧化层具有概呈相同的厚度；第二栅氧化层，位于所述第一栅氧化层表面，且位于所述沟槽结构底部的所述第二栅氧化层的厚度小于位于所述沟槽结构侧壁的所述第二栅氧化层的厚度；所述第一栅氧化层与所述第二栅氧化层共同构成一双层结构的栅氧化层；导电层，位于所述栅氧化层的底部及局部侧壁，其中，所述导电层的顶端低于所述半导体衬底的上表面；及，填孔绝缘层，填充于所述沟槽结构内，且填满所述沟槽结构；其中，所述半导体衬底还形成有源区和漏区，所述源区位于所述沟槽结构一侧的所述半导体衬底内，所述漏区位于所述沟槽结构另一侧的所述半导体衬底内。