[实用新型]一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置有效
| 申请号： | 201820681482.5 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN208128765U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 罗华;程雍;高斌 | 申请（专利权）人： | 武汉铢寸科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区财*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置，包括屏蔽壳体，屏蔽壳体的内部围设成一密闭的屏蔽空间，屏蔽空间的壁体由内而外包括屏蔽层、高导磁复合层和反射层。本实用新型的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置，利用屏蔽层对电磁波进行阻挡隔离，而部分未隔离的电磁波一方面穿过高导磁复合层打到反射层上，当入射的电磁波穿过高导磁复合层后碰到反射层后，在反射层的作用下再次被反射回来，通过控制高导磁复合层内的材料电磁特性，使得电磁波有适当的振幅和相态在高导磁复合层内进行多重反射，从而使得电磁波在高导磁复合层内进行多重吸收，以达到降低电磁波中反射量。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁波 复合层 高导磁 反射层 高频电磁场 低频磁场 屏蔽 本实用新型 屏蔽壳体 屏蔽空间 屏蔽层 穿过 电磁特性 多重反射 多重吸收 阻挡隔离 反射量 密闭 壁体 入射 围设 相态 反射 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置，其特征在于，包括屏蔽壳体，所述屏蔽壳体的内部围设成一密闭的屏蔽空间，所述屏蔽空间的壁体由内而外包括屏蔽层、高导磁复合层和反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉铢寸科技有限公司，未经武汉铢寸科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820681482.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种安装簧片的扼流槽匹配装置
- 下一篇：一种基于电加热技术的超宽带透明吸波器
