[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201820682044.0 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN208173586U | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体装置，其包括具有第一导电型的衬底、第一静电放电保护多晶硅层、第二静电放电保护多晶硅层以及第一金属层。衬底定义有衬垫区域，且具有第一区、第二区，第一区环绕第二区，且衬垫区域与第二区至少部分重叠。第一静电放电保护多晶硅层位于第一区的衬底上且与衬底电性绝缘。第二静电放电保护多晶硅层位于第二区的衬底上，部分第二静电放电保护多晶硅层与衬底实体接触。第一金属层设置于第一静电放电保护多晶硅层与第二静电放电保护多晶硅层上方，且与第一静电放电保护多晶硅层与第二静电放电保护多晶硅层电性连接。本实用新型可利用现有的工艺，于栅极衬垫区域制作出同时保护栅极‑源极与栅极‑漏极的静电放电保护元件。 | ||
| 搜索关键词： | 静电放电保护 多晶硅层 衬底 第一区 半导体装置 本实用新型 第一金属层 衬垫区域 静电放电保护元件 电性绝缘 电性连接 实体接触 栅极衬垫 导电型 漏极 源极 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：具有第一导电型的衬底，定义有衬垫区域，且具有第一区及第二区，所述第一区环绕所述第二区，且所述衬垫区域与所述第二区至少部分重叠；第一静电放电保护多晶硅层，位于所述第一区的所述衬底上且与所述衬底电性绝缘；第二静电放电保护多晶硅层，位于所述第二区的所述衬底上，其中部分所述第二静电放电保护多晶硅层与所述衬底实体接触；以及第一金属层，设置于所述第一静电放电保护多晶硅层与所述第二静电放电保护多晶硅层上方，且与所述第一静电放电保护多晶硅层与所述第二静电放电保护多晶硅层电性连接。
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