[实用新型]集成电路存储器、半导体集成电路器件有效
申请号: | 201820687273.1 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN208284477U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8242 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种集成电路存储器、半导体集成电路器件。采用竖直设置在衬底上的有源柱体以构成的立式存储晶体管,从而有利于减小立式存储晶体管在衬底上的单元配置尺寸,进而能够进一步缩减存储器的尺寸。并且,竖直结构的立式存储晶体管具有更好的排布灵活性,例如能够实现多个立式存储晶体管的六方密集排布,以提高存储器中存储单元的排布密集度。此外,本实用新型中所采用的有源柱体呈现上宽下窄的结构,从而使字线中环绕有源柱体底端部的部分具备较大的厚度,有利于提高立式存储晶体管的性能。 | ||
搜索关键词: | 存储晶体管 半导体集成电路器件 集成电路存储器 本实用新型 存储器 衬底 排布 柱体 存储单元 单元配置 密集排布 上宽下窄 竖直结构 竖直设置 柱体底端 密集度 减小 字线 环绕 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路存储器,其特征在于,包括:一衬底;多条位线,形成在所述衬底上并沿着第一方向延伸;多个有源柱体,形成在所述位线上,以使所述有源柱体的底端部连接至所述位线,并且所述有源柱体的所述底端部的截面尺寸小于所述有源柱体的顶端部的截面尺寸,以使所述底端部相对于所述顶端部凹陷;以及,多条字线,形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸,所述字线在其延伸方向上一体连接并配置有多个直立的栅极管,所述栅极管环绕相应的有源柱体的外侧壁并填充所述有源柱体的所述底端部的凹陷区域,以增加所述栅极管环绕于相应的有源柱体的所述底端部的厚度,并由所述有源柱体和所述字线中环绕所述有源柱体侧壁的所述栅极管共同构成所述集成电路存储器的立式存储晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的