[实用新型]一种磁控溅射靶及磁体结构有效
申请号: | 201820698624.9 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN208183066U | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 臧龙杰 | 申请(专利权)人: | 昆山世高新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种磁控溅射靶及磁体结构,箱体内设有永久磁铁,永久磁铁与同轴励磁线圈连接,永久磁铁外侧设有冷却系统,永久磁铁上方设有励磁线圈,永久磁铁与铜靶连接,本实用新型具有溅射率高、操控方便、装置性能稳定等优点。 | ||
搜索关键词: | 永久磁铁 本实用新型 磁控溅射靶 磁体结构 冷却系统 励磁线圈 同轴励磁 线圈连接 装置性能 溅射率 操控 铜靶 | ||
【主权项】:
1.一种磁控溅射靶及磁体结构,其特征在于,包括励磁线圈、冷却系统、永久磁铁、铜靶、同轴励磁线圈、箱体,所述箱体内设有永久磁铁,所述永久磁铁与同轴励磁线圈连接,所述永久磁铁外侧设有冷却系统,所述永久磁铁上方设有励磁线圈,所述永久磁铁与铜靶连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山世高新材料科技有限公司,未经昆山世高新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820698624.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:平面靶整平用矫正平台机构
- 下一篇:一种新型二硼化钛靶材
- 同类专利
- 专利分类