[实用新型]一种金刚石膜的新型制备装置有效
申请号: | 201820704511.5 | 申请日: | 2018-05-13 |
公开(公告)号: | CN208136333U | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 郝晋青;袁亨;卫北海;路晓宇;韩丙辰;陈昶;陈雪;马会芳;赵丽云;姚芳;王荣成 | 申请(专利权)人: | 太原师范学院 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/513 |
代理公司: | 太原新航路知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14112 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 030619 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本实用新型涉及金刚石膜的制备技术,具体是一种金刚石膜的新型制备装置。本实用新型解决了现有金刚石膜的制备方法制备效率低、制备质量差的问题。一种金刚石膜的新型制备装置,包括主体部分和控制部分;所述主体部分包括真空反应室、热丝阵列、支撑柱、杯形水冷腔、进水管、出水管、金属散热板、基片、防水型超声波换能器、防水型速度传感器、防水型位移传感器、防水型加速度传感器;所述控制部分包括微分器、积分器、三位转换开关、放大器、移相器、主施密特触发器、锁相环、第一PWM控制芯片、第一MOSFET、第一开关电源变压器、第一整流器、第一衰减器、第一从施密特触发器。本实用新型适用于金刚石膜的制备。 | ||
搜索关键词: | 金刚石膜 制备 防水型 本实用新型 制备装置 施密特触发器 放大器 超声波换能器 加速度传感器 三位转换开关 电源变压器 金属散热板 速度传感器 位移传感器 真空反应室 第一开关 热丝阵列 出水管 积分器 进水管 衰减器 水冷腔 锁相环 微分器 移相器 整流器 支撑柱 质量差 杯形 | ||
【主权项】:
1.一种金刚石膜的新型制备装置,其特征在于:包括主体部分和控制部分;所述主体部分包括真空反应室(101)、热丝阵列(102)、支撑柱(103)、杯形水冷腔(104)、进水管(105)、出水管(106)、金属散热板(107)、基片(108)、防水型超声波换能器(112)、防水型速度传感器(113)、防水型位移传感器(114)、防水型加速度传感器(115);真空反应室(101)的顶壁中央贯通开设有进气孔(116);真空反应室(101)的底壁中央贯通开设有出气孔(117);热丝阵列(102)水平安装于真空反应室(101)的内腔上部;支撑柱(103)的数目为若干个;各个支撑柱(103)均垂直固定于真空反应室(101)的内底壁;杯形水冷腔(104)支撑固定于各个支撑柱(103)的上端面,且杯形水冷腔(104)的杯口朝上;杯形水冷腔(104)的侧壁的径向截面为S形截面;杯形水冷腔(104)的底壁分别贯通开设有进水孔和出水孔;进水管(105)密封贯穿真空反应室(101)的侧壁下部,且进水管(105)的一端与进水孔密封连通;出水管(106)密封贯穿真空反应室(101)的侧壁下部,且出水管(106)的一端与出水孔密封连通;金属散热板(107)封盖于杯形水冷腔(104)的杯口上,且金属散热板(107)的表面中央贯通开设有螺孔;基片(108)水平安装于金属散热板(107)的上表面中央,且基片(108)位于热丝阵列(102)的下方;防水型超声波换能器(112)的侧面上端设有外螺纹;防水型超声波换能器(112)的上端通过外螺纹旋拧于螺孔内,且防水型超声波换能器(112)的上端面与基片(108)的下表面中央接触;防水型速度传感器(113)、防水型位移传感器(114)、防水型加速度传感器(115)均安装于防水型超声波换能器(112)的侧面;所述控制部分包括微分器(201)、积分器(202)、三位转换开关(203)、放大器(204)、移相器(205)、主施密特触发器(206)、锁相环(207)、第一PWM控制芯片(208)、第一MOSFET(209)、第一开关电源变压器(210)、第一整流器(211)、第一衰减器(212)、第一从施密特触发器(213)、第二PWM控制芯片(214)、第二MOSFET(215)、第二开关电源变压器(216)、第二整流器(217)、第二衰减器(218)、第二从施密特触发器(219)、直流双电源转换开关(220)、超声波发生器;防水型速度传感器(113)的输出端与三位转换开关(203)的第一个输入端连接;防水型位移传感器(114)的输出端与微分器(201)的输入端连接;微分器(201)的输出端与三位转换开关(203)的第二个输入端连接;防水型加速度传感器(115)的输出端与积分器(202)的输入端连接;积分器(202)的输出端与三位转换开关(203)的第三个输入端连接;三位转换开关(203)的输出端与放大器(204)的输入端连接;放大器(204)的输出端与移相器(205)的输入端连接;移相器(205)的输出端与主施密特触发器(206)的输入端连接;主施密特触发器(206)的输出端与锁相环(207)的参考输入端连接;锁相环(207)的两个输出端分别与第一PWM控制芯片(208)的输入端和第二PWM控制芯片(214)的输入端连接;第一PWM控制芯片(208)的输出端与第一MOSFET(209)的输入端连接;第一MOSFET(209)的两个输出端分别与第一开关电源变压器(210)的两个输入端连接;第一开关电源变压器(210)的两个输出端分别与第一整流器(211)的两个输入端连接;第一整流器(211)的正输出端分别与第一衰减器(212)的输入端和直流双电源转换开关(220)的第一个正输入端连接;第一整流器(211)的负输出端与直流双电源转换开关(220)的第一个负输入端连接;第一衰减器(212)的输出端与第一从施密特触发器(213)的输入端连接;第一从施密特触发器(213)的输出端与锁相环(207)的第一个反馈输入端连接;第二PWM控制芯片(214)的输出端与第二MOSFET(215)的输入端连接;第二MOSFET(215)的两个输出端分别与第二开关电源变压器(216)的两个输入端连接;第二开关电源变压器(216)的两个输出端分别与第二整流器(217)的两个输入端连接;第二整流器(217)的正输出端与直流双电源转换开关(220)的第二个正输入端连接;第二整流器(217)的负输出端分别与第二衰减器(218)的输入端和直流双电源转换开关(220)的第二个负输入端连接;第二衰减器(218)的输出端与第二从施密特触发器(219)的输入端连接;第二从施密特触发器(219)的输出端与锁相环(207)的第二个反馈输入端连接;直流双电源转换开关(220)的正输出端与热丝阵列(102)连接;直流双电源转换开关(220)的负输出端与金属散热板(107)连接;超声波发生器的输出端与防水型超声波换能器(112)的输入端连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的