[实用新型]一种具有高的低频电源抑制比低压线性稳压源有效

专利信息
申请号: 201820716707.6 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN208224881U 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 刘志明 申请(专利权)人: 合肥市汤诚集成电路设计有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230000 安徽省合肥市高新区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种具有高的低频电源抑制比低压线性稳压源,包括一个参考电压单元、一个误差放大器、一个PMOS、两个电阻和一个电容,还包括由三个PMOS管、两个电流源和一个电阻构成的低频电源抑制比提高电路。由于低频电源抑制比提高电路的加入,提高了低压线性稳压源的低频电源抑制比,方案简单实用。
搜索关键词: 低频电源抑制比 低压线性 稳压源 电阻 电路 参考电压单元 本实用新型 误差放大器 电容 电流源
【主权项】:
1.一种具有高的低频电源抑制比低压线性稳压源,包括一个参考电压单元、一个误差放大器、四个PMOS管、三个电阻和一个电容;所述误差放大器有正输入端、负输入端和输出端三个端,参考电压单元与误差放大器的负输入端相连接,误差放大器的输出端与第四PMOS管的栅极相连接,第四PMOS管的源极与电源电压相连接,第四PMOS管的漏极、第一电阻的一端和第一电容的一端连接于输出端,第一电阻的另一端、第二电阻的一端与误差放大器的正输入端相连接,第二电阻的另一端与第一电容的另一端与地相连接,第一PMOS管的源极、第二电流源的一端与电源电压相连接,第二电流源的另一端、第三PMOS管的源极与误差放大器的输出点相连接,第三PMOS管的漏极与第三电阻的一端相连接,第三电阻的另一端与地相连接,第三PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极和第一电流源的一端相连接,第一电流源的另一端与地端相连接,第二PMOS管的源极、第一PMOS管的漏极与第一PMOS管的栅极相连接。
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