[实用新型]一种塑封SiC肖特基二极管器件有效
申请号: | 201820728127.9 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN208271910U | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 钱清友;王成森;徐洋;范敏波;江林华 | 申请(专利权)人: | 捷捷半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L23/367 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 卢海洋 |
地址: | 226200 江苏省南通市苏通科技产*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种塑封SiC肖特基二极管器件,包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片,金属散热底板顶部中心区域设有凸台,外引脚包括外引脚焊接区、外引脚引出端,SiC肖特基二极管芯片包括朝下的阳极区和朝上的的阴极区,连接桥片包括连接桥片焊接A区、连接桥片焊接B区,SiC肖特基二极管芯片朝下的阳极区通过焊锡料焊接在凸台上方,SiC肖特基二极管芯片朝上的的阴极区通过焊锡料与连接桥片焊接A区接连,连接桥片焊接B区与外引脚焊接区通过焊锡料连接,本实用新型极大的提高了芯片散热效果,缩短工艺流程,提高生产效率,极大的提高了器件的通流能力,充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。 | ||
搜索关键词: | 连接桥片 肖特基二极管芯片 外引脚 焊接 焊锡 肖特基二极管器件 金属散热底板 本实用新型 焊接区 阳极区 阴极区 朝上 塑封 顶部中心 能力优势 生产效率 通流能力 芯片散热 工艺流程 引出端 高通 凸台 | ||
【主权项】:
1.一种塑封SiC肖特基二极管器件,其特征在于:包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片,所述金属散热底板顶部中心区域设有凸台,所述外引脚包括外引脚焊接区、外引脚引出端,所述SiC肖特基二极管芯片包括朝下的阳极区和朝上的阴极区,所述连接桥片包括连接桥片焊接A区、连接桥片焊接B区,所述SiC肖特基二极管芯片朝下的阳极区通过焊锡料焊接在凸台上方,所述SiC肖特基二极管芯片朝上的阴极区通过焊锡料与连接桥片焊接A区接连,所述连接桥片焊接B区与外引脚焊接区通过焊锡料连接。
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