[实用新型]柱状电容器阵列结构

摘要

本实用新型提供一种柱状电容器阵列结构，包括：半导体衬底，包括若干个接触焊盘；填孔下电极，结合于接触焊盘上，填孔下电极的侧壁呈波纹状或锯齿状；平面式支架支撑层，覆盖各填孔下电极的上表面；电容介质层，形成于填孔下电极的侧壁及填孔下电极周围的半导体衬底上；上电极层，形成于电容介质层表面；上电极填充体，填充于相邻上电极层之间的间隙并与上电极层电连接。本实用新型可以将电容尺寸进一步缩小，相邻电容之间具有较大剩余空间，形成侧壁呈波纹状或锯齿状的柱状下电极，可以增加电容的表面积，提高电容能力，适应尺寸微缩，形成平面式支架支撑层，可以制备需要厚度的支撑层，具有高宽比优势，提高支撑强度，简化制备工艺及器件结构。

主权项

1.一种柱状电容器阵列结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括若干个位于内存数组结构中的接触焊盘；填孔下电极，结合于所述接触焊盘上，所述填孔下电极的侧壁呈波纹状或锯齿状；平面式支架支撑层，且所述平面式支架支撑层覆盖各所述填孔下电极的上表面；电容介质层，形成于所述填孔下电极的侧壁以及所述填孔下电极周围的所述半导体衬底上；上电极层，形成于所述电容介质层表面；以及上电极填充体，所述上电极填充体填充于相邻所述上电极层之间的间隙并与所述上电极层电连接。