[实用新型]柱状电容器阵列结构

摘要

本实用新型提供一种柱状电容器阵列结构，包括：半导体衬底，包括若干个接触焊盘；填孔下电极，结合于接触焊盘上，具有电极柱体及高出部，电极柱体侧壁呈波纹状或锯齿状；电容介质层，形成于填孔下电极的侧壁以及周围的半导体衬底上；上电极层，形成于电容介质层表面；上电极填充体，填充于相邻上电极层之间的间隙并与上电极层电连接。本实用新型可以将电容尺寸进一步缩小，相邻电容之间具有较大剩余空间，形成侧壁呈波纹状或锯齿状的柱状下电极，可以增加电容的表面积，提高电容能力，适应尺寸微缩，采用自对准的刻蚀工艺形成了折线型支架支撑层，增加支撑层与电容器结构的接触面积，提高了支撑强度，并简化了制备工艺，提高了器件制备的精确度。

主权项

1.一种柱状电容器阵列结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括若干个位于内存数组结构中的接触焊盘；填孔下电极，结合于所述接触焊盘上，所述填孔下电极具有电极柱体及在所述电极柱体上的高出部，且所述电极柱体的侧壁呈波纹状或锯齿状；电容介质层，形成于所述填孔下电极的侧壁以及所述填孔下电极周围的所述半导体衬底上；上电极层，形成于所述电容介质层表面；以及上电极填充体，填充于相邻所述上电极层之间的间隙并与所述上电极层电连接。