[实用新型]基于低压H桥的控制电路有效
申请号: | 201820743891.3 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN208299688U | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 王忠禹 | 申请(专利权)人: | 合肥威迪变色玻璃有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M1/08 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 娄岳 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供一种基于低压H桥的控制电路,包括负载、第一P型场效应管Q1、第二P型场效应管Q2、第一N型场效应管Q3、第二N型场效应管Q4、第一PNP型三极管Q5以及第二PNP型三极管Q6,其中四个场效应管组成一个H桥电路,两个PNP型三极管分别与两个P型场效应管相连。本实用新型通过在两个P型场效应管上加入两个PNP,控制场效应管栅极与源极之间的电压维持在较高的数值,使得电源端电压Vout的数值具有较大的范围,允许小电压的导通,从而给负载端一个较小的电压。 | ||
搜索关键词: | 本实用新型 控制电路 电源端电压 场效应管 电压维持 负载端 控制场 小电压 效应管 导通 源极 | ||
【主权项】:
1.一种基于低压H桥的控制电路,其特征在于,包括负载、第一P型场效应管Q1、第二P型场效应管Q2、第一N型场效应管Q3、第二N型场效应管Q4、第一PNP型三极管Q5以及第二PNP型三极管Q6;负载的第一端与第一P型场效应管Q1的漏极以及第一N型场效应管Q3的漏极相连,负载的第二端与第二P型场效应管Q2的漏极以及第二N型场效应管Q4的漏极相连;第一P型场效应管Q1的栅极与第一PNP型三极管Q5的集电极以及第三电阻R3的第一端相连,第三电阻R3的第二端与第一直流电源VCC的负端相连,第一P型场效应管Q1的源极与第二P型场效应管Q2的源极相连,连接点为电源端电压Vout的输出端;第二P型场效应管Q2的栅极与第二PNP型三极管Q6的集电极以及第四电阻R4的第一端相连,第四电阻R4的第二端与第二直流电源VCC的负端相连;第一PNP型三极管Q5的发射极与第一直流电源VCC的正端相连,第一PNP型三极管Q5的基极为控制电路的第一控制输入端;第二PNP型三极管Q6的发射极与第二直流电源VCC的正端相连,第二PNP型三极管Q6的基极为控制电路的第二控制输入端;第一N型场效应管Q3的栅极为控制电路的第二控制输入端,第一N型场效应管Q3的源极与第二N型场效应管Q4的源极相连,连接点接地;第二N型场效应管Q4的栅极为控制电路的第一控制输入端。
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