[实用新型]一种LED芯片以及具有该LED芯片的微LED显示面板有效
| 申请号： | 201820750818.9 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN208142208U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘兆;吕奇孟;刘英策;杨国武;霍子曦;曹衍灿;唐浩;胡慧琴 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 330103 江西省南昌市新*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种LED芯片以及具有该LED芯片的微LED显示面板，包括：衬底和位于衬底表面的外延结构，外延结构至少包括依次位于衬底表面的N型氮化镓层、量子阱发光层和P型氮化镓层；N型氮化镓层包括交替设置的第一氮化镓层和第二氮化镓层，第一氮化镓层中氮离子的浓度大于镓离子的浓度，第二氮化镓层中镓离子的浓度大于氮离子的浓度；外延结构的侧边为利用与第一氮化镓层和第二氮化镓层刻蚀速率不同的刻蚀气体刻蚀而成的波浪形的粗化的侧边，以提高LED芯片侧边出射光的散射效果，从而可以提高LED芯片侧边的发光角度，进而可以提高LED芯片边缘区域的亮度以及微LED显示面板的显示饱和度和逼真度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓层 侧边 外延结构 衬底表面 氮离子 镓离子 刻蚀 饱和度 本实用新型 边缘区域 交替设置 刻蚀气体 散射效果 逼真度 波浪形 出射光 发光层 量子阱 衬底 粗化 发光 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底表面的外延结构，所述外延结构至少包括依次位于所述衬底表面的N型氮化镓层、量子阱发光层和P型氮化镓层；所述N型氮化镓层包括交替设置的第一氮化镓层和第二氮化镓层，所述第一氮化镓层中氮离子的浓度大于镓离子的浓度，所述第二氮化镓层中镓离子的浓度大于氮离子的浓度；所述外延结构的侧边为利用与所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层刻蚀速率不同的刻蚀气体刻蚀而成的波浪形的粗化的侧边。
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