[实用新型]一种优化PiN二极管阳极接触的结构有效
| 申请号： | 201820751371.7 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN208256677U | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 廖兵;沈礼福 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种优化PiN二极管阳极接触的结构，本实用新型涉及功率二极管技术领域。它包含P+阳极区、N‑本征区、N+阴极区、阳极金属和阴极金属；其中P+阳极区的上部设有阳极金属，P+阳极区的底部设有N‑本征区，N+本征区的下方设有N+阴极区，N+阴极区的下方设有阴极金属；所述的P+阳极区的上表面为波浪形结构；所述的阳极金属与P+阳极区的上表面贴合设置。通过增加阳极和阳极金属的接触面积，在不牺牲二极管其他性能的前提下，增加了阳极与阳极金属的欧姆接触，降低了二极管的导通压降，提高了二极管的浪涌电流。从而降低了器件的功耗，提高了二极管对尖峰电流的冗余能力。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极金属 阳极区 二极管 本征区 阴极区 阳极 阳极接触 阴极金属 上表面 本实用新型 波浪形结构 功率二极管 导通压降 尖峰电流 浪涌电流 欧姆接触 冗余能力 贴合设置 功耗 优化 | ||
【主权项】：
1.一种优化PiN二极管阳极接触的结构，它包含P+阳极区(1)、N‑本征区(2)、N+阴极区(3)、阳极金属(4)和阴极金属(5)；其中P+阳极区(1)的上部设有阳极金属(4)，P+阳极区(1)的底部设有N‑本征区(2)，N+本征区(2)的下方设有N+阴极区(3)，N+阴极区(3)的下方设有阴极金属(5)；其特征在于：所述的P+阳极区(1)的上表面为波浪形结构；所述的阳极金属(4)与P+阳极区(1)的上表面贴合设置。
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