[实用新型]一种基于SIW的双频缝隙阵列天线

摘要

本实用新型公开了一种基于SIW的双频缝隙阵列天线，包括双层介质基板，上层介质板上表面为印刷金属馈线，下层介质基板上表面覆铜后刻蚀馈电缝隙、低频辐射缝隙和高频辐射缝隙，下表面覆铜，并且在下层介质板四边加金属化过孔，将两层介质版组装重叠，下层介质板和其上下表面的金属将会形成一个SIW腔，能量由上层的印刷金属馈线通过馈电缝隙进入下层的SIW腔并形成TE₂₀模，实现了不同频段的辐射，低频辐射阵列分列于天线中轴线两侧，高频辐射阵列位于中轴线上，实现了双频天线的设计和较好的方向图辐射效果。本实用新型可同时用于微波波段和毫米波波段应用，增益高、带宽宽、损耗小、低剖面、易加工。

主权项

1.一种基于SIW的双频缝隙阵列天线，其特征在于，包含上层介质基板和下层介质基板；所述上层介质基板、下层介质基板为大小相同的矩形，上层介质基板重叠并固定在所述下层介质基板上形成天线，下层介质基板两条短边中点的连线和天线的中轴线在同一条直线上；所述上层介质板上表面印刷有金属馈线；所述下层介质基板的上表面覆铜后刻蚀有馈电缝隙、2X条低频辐射缝隙和Y条高频辐射缝隙，下表面覆铜作为地，X为大于等于1的自然数，Y为大于等于2的自然数；所述下层介质基板上设有若干贯穿其上下表面覆铜的金属化过孔，所述若干金属化过孔形成关于天线中轴线对称的呈矩形的SIW腔，将所述馈电缝隙、2X条低频辐射缝隙和Y条高频辐射缝隙包含在其内；所述馈电缝隙位于所述天线的中轴线上，所述金属馈线末端位于馈电缝隙正上方，用于将能量通过馈电缝隙耦合进入下层的SIW腔并形成TE20模；所述2X条低频辐射缝隙均和天线的中轴线平行、对应设置在所述TE20模的两个基膜上、关于天线的中轴线对称，形成低频缝隙阵列，工作频率为预先设定的第一工作频段；所述Y个高频辐射缝隙等距设置、均垂直于天线的中轴线，且均关于天线的中轴线自身对称，形成高频缝隙阵列，工作频率为预先设定的第二工作频段，所述第二工作频段高于所述第一工作频段。