[实用新型]一种热释电器件有效
申请号: | 201820783390.8 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN208298851U | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 陈威;陈宇龙;李以文;陈锐;程鑫 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型实施例公开了一种热释电器件,该热释电器件包括:第一衬底,第一衬底包括热释电功能区和位于热释电功能区外围的非功能区;层叠设置的第一介电层和第二介电层,第一介电层与第一衬底接触设置,在第一衬底的垂直方向上热释电功能区的投影覆盖的第一介电层和第二介电层之间存在间隙以构成隔热结构,非功能区的投影覆盖的第一介电层和第二介电层直接接触;位于第二介电层上且层叠设置的第一电极、热释电材料层和第二电极,在第一衬底的垂直方向上热释电功能区的投影与热释电材料层交叠。本实用新型实施例中,在第一衬底上采用薄膜工艺形成各膜层,可自主控制热释电器件的厚度;热释电器件的面积较小且成本较低;可以降低震动和应力。 | ||
搜索关键词: | 介电层 热释电器件 衬底 功能区 热释电 本实用新型 热释电材料 层叠设置 非功能区 投影覆盖 薄膜工艺 衬底接触 第二电极 第一电极 隔热结构 自主控制 交叠 膜层 投影 外围 震动 | ||
【主权项】:
1.一种热释电器件,其特征在于,包括:第一衬底,所述第一衬底包括热释电功能区和位于所述热释电功能区外围的非功能区;层叠设置的第一介电层和第二介电层,所述第一介电层与所述第一衬底接触设置,在所述第一衬底的垂直方向上所述热释电功能区的投影覆盖的所述第一介电层和所述第二介电层之间存在间隙以构成隔热结构,所述非功能区的投影覆盖的所述第一介电层和所述第二介电层直接接触;位于所述第二介电层上且层叠设置的第一电极、热释电材料层和第二电极,在所述第一衬底的垂直方向上所述热释电功能区的投影与所述热释电材料层交叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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