[实用新型]半导体结构、晶体管结构及半导体处理设备

摘要

本实用新型提供一种基于低温离子注入的半导体结构，包括：结晶层区；结晶缺陷层区，位于结晶层区上，结晶缺陷层区包括若干个结晶块，且各结晶块的大小及取向中的至少一者不同；以及重结晶层区，位于结晶缺陷层区上，重结晶层区包括重结晶后的结晶状态，结晶块内部的结晶状态与重结晶层区内部的结晶状态概呈相同。本实用新型通过对待处理结构进行离子注入的过程中同时对其进行降温，在低温条件下进行离子注入，减缓了离子注入过程中的自退火效应，从而减少退火后的EOR缺陷，减少结漏电流，减少电子器件的功耗。

主权项

1.一种基于低温离子注入的半导体结构，其特征在于，包括：结晶层区；结晶缺陷层区，位于所述结晶层区上，所述结晶缺陷层区包括若干个结晶块，且各所述结晶块的大小及取向中的至少一者不同；以及重结晶层区，位于所述结晶缺陷层区上，所述重结晶层区包括重结晶后的结晶状态，所述结晶块内部的结晶状态与所述重结晶层区内部的结晶状态概呈相同。