[实用新型]薄膜电池制备装置有效
申请号: | 201820789884.7 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN208315585U | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 陈腾 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型薄膜电池技术领域,提出一种薄膜电池制备装置,该薄膜电池制备装置包括镀膜机以及划槽机,镀膜机适于以卷对卷工艺镀膜形成薄膜电池的各层材料层;划槽机集成于镀膜机的收卷端,用于在对各层所述材料层收卷的同时,对需要划槽的各层所述材料层进行划槽。使用该薄膜电池制备装置使得薄膜电池在镀膜过程中即可完成划线互联,从而避免额外的表面电极制备工艺,使薄膜电池的生产效率进一步提升和制造成本进一步降低。 | ||
搜索关键词: | 薄膜电池 制备装置 划槽 材料层 镀膜机 本实用新型 卷对卷工艺 表面电极 镀膜过程 生产效率 制备工艺 制造成本 收卷端 镀膜 收卷 划线 互联 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜电池制备装置,其特征在于,包括:镀膜机,适于以卷对卷工艺镀膜形成薄膜电池的各层材料层;划槽机,集成于所述镀膜机的收卷端,用于在对各层所述材料层收卷的同时,对需要划槽的各层所述材料层进行划槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的