[实用新型]一种半导体储存器结构

摘要

本实用新型提供一种半导体储存器结构，该半导体储存器结构具备多重式的字线凹槽，字线是基于字线凹槽形成在衬底中，由于字线凹槽由深度不同的第一字线凹槽与第二字线凹槽水平连通而成，因此字线为非对称埋入式，利用该埋入式字线作为MOS管的栅极，可以增加MOS管源极与漏极之间的距离，从而使得MOS管具备更长的沟道，有效防止短沟道效应。本实用新型可以在同样的字线密度下增加字线与字线之间的有效距离，从而降低字线与字线之间的耦合。本实用新型中相邻两条字线的底端偏离方向相反，可以使得晶体管之间的耦合明显降低。

主权项

1.一种半导体储存器结构，其特征在于，包括：衬底；字线凹槽，形成于所述衬底中，包含具有第一深度的第一字线凹槽及具有第二深度的第二字线凹槽，所述第一字线凹槽及所述第二字线凹槽水平连通，所述第一深度大于所述第二深度；字线，由第一字线部与第二字线部连接而成，所述第一字线部形成于所述第一字线凹槽中，所述第二字线部形成于所述第二字线凹槽中，所述字线的底端偏离所述字线的中心平面，其中，所述字线的中心平面定义为穿过所述字线长度方向的顶面中心线且垂直于所述字线顶面的平面，所述字线的底端位于所述第一字线凹槽的底端。