[实用新型]低功耗压控增益放大器电路有效
| 申请号： | 201820796004.9 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN208522718U | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 赵俊奎 | 申请（专利权）人： | 重庆川仪自动化股份有限公司 |
| 主分类号： | H03G3/30 | 分类号： | H03G3/30;H03F1/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 尹丽云 |
| 地址： | 400700*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种低功耗压控增益放大器电路，包括偏置电路、加法器、第一N沟道结型场效应管和第二N沟道结型场效应管；所述第一N沟道结型场效应管的栅极与偏置电路连接，其漏极与第一输入电压连接，其源极接地，所述第二N沟道结型场效应管的栅极与加法器的输出端连接，其漏极与第二输入电压连接，其源极接地，所述偏置电路与加法器的输入端连接；本实用新型中的低功耗压控增益放大器电路，通过本实用新型中的电路结构，可以大大降低通过电流，从而极大的降低了功耗，同时双管的差分设计电路大大降低了温度漂移，提高了测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应管 增益放大器电路 本实用新型 偏置电路 低功耗 加法器 输入电压 源极接地 漏极 输出端连接 输入端连接 电路结构 温度漂移 功耗 双管 电路 测量 | ||
【主权项】：
1.一种低功耗压控增益放大器电路，其特征在于：包括偏置电路、加法器、第一N沟道结型场效应管和第二N沟道结型场效应管；所述第一N沟道结型场效应管的栅极与偏置电路连接，其漏极与第一输入电压连接，其源极接地，所述第二N沟道结型场效应管的栅极与加法器的输出端连接，其漏极与第二输入电压连接，其源极接地，所述偏置电路与加法器的输入端连接。
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