[实用新型]横向扩散金属氧化物半导体器件有效
| 申请号： | 201820798923.X | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN208385412U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;黄贤国 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖区文三路90*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件，在所述横向扩散金属氧化物半导体器件中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第二导体空间隔离，所述第一导体和第二导体可以接不同的电位，使得所述半导体器件在关断状态仍能保持较高的击穿电压。此外，所述半导体器件的源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体上方，可以避免所述第一导体和第二导体断开位置处的电场出现跌落的现象，从而改善了所述半导体器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 横向扩散金属氧化物半导体器件 半导体器件 介质层 耐压层 本实用新型 电位 导体空间 断开位置 关断状态 击穿电压 耐压性能 电场 导体层 源电极 源极区 跌落 隔离 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：基层，位于所述基层中源极区与漏极区，位于所述基层的第一表面且与所述源极区相邻的第一介质层，位于所述基层的第一表面的耐压层，所述耐压层位于所述第一介质层与所述漏极区之间，至少部分位于所述第一介质层上的第一导体，至少部分位于所述耐压层上的第二导体，与所述源极区电连接的源电极，其中，所述第一导体和第二导体空间隔离，且所述源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体的上方。
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