[实用新型]用于对半导体衬底进行表面织构化的设备有效
申请号: | 201820801161.4 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN209133464U | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | I.梅尔尼克;P.费斯;W.乔斯;J.琼格-凯尼格;A.泰佩 | 申请(专利权)人: | RCT解决方法有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 任丽荣 |
地址: | 德国康*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于对半导体衬底进行表面织构化的设备,包括:第一工艺槽,被构造为容纳第一工艺液体,并且借助第一工艺液体将银颗粒沉积在半导体衬底表面上并通过基于银的金属催化剂化学刻蚀在衬底表面上形成大量的包含银颗粒的孔洞;第二工艺槽,被构造为容纳第二工艺液体并且在存在银颗粒时借助第二工艺液体对孔洞进行碱性刻蚀,以形成倒金字塔型织构化的表面结构;清洁装置,被构造为借助清洁液体对倒金字塔型织构化的表面结构实施清洁以去除银颗粒。根据本实用新型能够以简单有效的方式获得了倒金字塔型织构化表面,以便制造带有极低反射损失和高效率的太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 工艺液体 银颗粒 倒金字塔 孔洞 本实用新型 表面织构化 表面结构 工艺槽 织构化 衬底 半导体 半导体衬底表面 容纳 金属催化剂 太阳能电池 织构化表面 衬底表面 化学刻蚀 清洁液体 清洁装置 低反射 高效率 刻蚀 沉积 去除 清洁 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于对半导体衬底进行表面织构化的设备,所述设备(1)包括:‑第一工艺槽(11),被构造为容纳第一工艺液体,并且被构造为借助所述第一工艺液体将银颗粒沉积在所述半导体衬底(3)的表面上并通过基于银的金属催化剂化学刻蚀在半导体衬底(3)的表面上形成大量的孔洞,所述孔洞中包含所述银颗粒,‑第二工艺槽(12),被构造为容纳第二工艺液体,并且被构造为在存在所述银颗粒的情况下借助所述第二工艺液体对所述孔洞进行碱性刻蚀,以形成所述半导体衬底(3)的倒金字塔型织构化的表面结构,‑清洁装置(13),被构造为借助清洁液体对所述倒金字塔型织构化的表面结构实施至少一次清洁以去除所述银颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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