[实用新型]GaN基垂直型功率晶体管器件有效
| 申请号： | 201820816541.5 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN209119111U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;王成森;黄森;王鑫华;康玄武;魏珂;黄健 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种GaN基垂直型功率晶体管器件；其中，所述GaN基垂直型功率晶体管器件，包括：N型GaN衬底；形成于N型GaN衬底上的N型GaN外延层；形成于N型GaN外延层上的Al(In，Ga)N背势垒层；形成于Al(In，Ga)N背势垒层上的薄势垒Al(In,Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In,Ga)N/GaN异质结构上的钝化层以及栅极和源极，形成于N型GaN衬底上的漏极。本公开GaN基垂直型功率晶体管器件有效降低了GaN基垂直型功率晶体管的工艺难度，从而使其兼容常规GaN基横向器件的工艺，推动了GaN基垂直型功率晶体管在更高电流和功率转换中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直型功率 晶体管器件 衬底 异质结构 势垒层 晶体管 势垒 工艺难度 功率转换 横向器件 钝化层 高电流 漏极 源极 兼容 应用 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基垂直型功率晶体管器件，其特征在于，包括：N型GaN衬底；形成于所述N型GaN衬底上的N型GaN外延层；形成于所述N型GaN外延层上的Al(In，Ga)N背势垒层；形成于所述Al(In，Ga)N背势垒层上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构上的钝化层以及栅极和源极，形成于所述N型GaN衬底上的漏极；其中，所述Al(In，Ga)N背势垒层是AlGaN或AlInN三元合金层，或者是AlInGaN四元合金层；所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构中Al(In，Ga)N薄势垒层是AlGaN或AlInN三元合金层，或者是AlInGaN四元合金。
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