[实用新型]一种特快速软恢复二极管有效
| 申请号： | 201820831375.6 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN208489204U | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王源政;董文俊;徐婷 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种特快速软恢复二极管，包括N+型硅单晶衬底，所述N+型硅单晶衬底正面生长有N型外延层，背面设有背面金属层，所述N型外延层主表面设有N‑型外延层，所述N‑型外延层主表面开设有N阱，所述N阱内设有P型主结，所述P型主结表面设有正面金属层；本实用新型具有非常快的反向恢复速度和较小的反向峰值电流，同时具有良好的软恢复特性，具有快速开通和关断能力，同时可以减小器件反向恢复过程中由于电流的振荡而引起的电压振荡和电压过冲，提高器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 恢复二极管 反向恢复 硅单晶 外延层 主表面 主结 反向峰值电流 背面金属层 正面金属层 衬底正面 电压过冲 电压振荡 快速开通 振荡 衬底 关断 减小 背面 生长 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种特快速软恢复二极管，其特征在于，包括N+型硅单晶衬底，所述N+型硅单晶衬底正面生长有N型外延层，背面设有背面金属层，所述N型外延层主表面设有N‑型外延层，所述N‑型外延层主表面开设有N阱，所述N阱内设有P型主结，所述P型主结表面设有正面金属层。
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