[实用新型]一种连续生产的区熔炉有效
申请号: | 201820831947.0 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN208440720U | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 李小刚 | 申请(专利权)人: | 峨眉山市元素新材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B13/00 | 分类号: | C30B13/00 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 白小明 |
地址: | 614100 四川省乐山*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型属于悬浮区熔单晶炉技术领域,具体涉及一种连续生产的区熔炉。针对上述现有用于生产较长单晶棒的悬浮区熔单晶炉每生产一根晶体棒都需要进行一次抽真空和降真空,导致能耗及惰性气体的消耗较高,提高了工艺的成本,且生产效率较低的问题。本实用新型的技术方案是:包括炉室,炉室顶部设置有上轴,上轴的末端设置有夹具,炉室底部设置有保温室,保温室中设置有下轴,炉室侧面设置有原料切换室,原料切换室中设置有用于更换上轴上的原料晶体棒的原料切换装置;保温室侧面设置有产品存储室,产品存储室中设置有用于取走保温室中产品的产品拾取装置;下轴顶端设置有转盘Ⅰ,转盘Ⅰ上设置有多个籽晶安装装置。本实用新型适用于单晶生长工艺。 | ||
搜索关键词: | 保温室 本实用新型 炉室 上轴 侧面设置 产品存储 悬浮区熔 原料切换 单晶炉 区熔炉 转盘 夹具 单晶生长工艺 原料切换装置 一次抽真空 安装装置 产品拾取 惰性气体 炉室顶部 生产效率 下轴顶端 原料晶体 单晶棒 晶体棒 下轴 籽晶 能耗 消耗 生产 | ||
【主权项】:
1.一种连续生产的区熔炉,包括炉室(1),炉室(1)顶部设置有上轴(2),上轴(2)的末端设置有夹具,炉室(1)底部设置有保温室(12),保温室(12)中设置有下轴(11),其特征在于:炉室(1)侧面设置有原料切换室(19),原料切换室(19)中设置有用于更换上轴(2)上的原料晶体棒的原料切换装置;保温室(12)侧面设置有产品存储室(15),产品存储室(15)中设置有用于取走保温室(12)中产品的产品拾取装置;所述下轴(11)顶端设置有转盘Ⅰ(13),转盘Ⅰ(13)上设置有多个籽晶安装装置。
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