[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201820861830.7 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN208433412U | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | F·朱利恩;F·谢拉;N·布兰克;E·布罗特;P·劳克斯;G·泰雷 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/788;H01L27/11521;H01L21/28;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件，例如，可用于制造由隔离沟槽隔开的第一和第二半导体区域。半导体衬底被氮化硅覆盖。通过离子注入掺杂位于第一区域上方的氮化硅。沟槽被蚀刻穿过氮化硅，并且以各向同性方式部分地蚀刻掺杂氮化硅。用绝缘体填充沟槽到达位于第一区域的层级上方的层级。去除氮化硅，使得仅第一区域的边缘被绝缘体环覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅 第一区域 蚀刻 半导体器件 层级 掺杂 半导体区域 绝缘体填充 隔离沟槽 绝缘体环 衬底 覆盖 隔开 可用 去除 半导体 离子 穿过 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，具有被沟槽环绕的第一区域和第二区域；以及绝缘材料，填充所述沟槽；其中所述第一区域的上表面的边缘被填充所述沟槽的所述绝缘材料覆盖；并且其中填充所述沟槽的所述绝缘材料在与所述第二区域的边缘相邻的位置处被填充到低于所述第二区域的边缘的层级。
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