[实用新型]一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块有效
| 申请号： | 201820870704.8 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN208655626U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 安冰翀 | 申请（专利权）人： | 臻驱科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;吴崇 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块。本实用新型的功率半导体模块衬底，包括第一桥臂单元，第一桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第一功率金属敷层、第一辅助金属敷层和第二功率金属敷层；第二功率金属敷层设有第一功率开关；其中，第一功率开关的第一开关组、第二开关组、第三开关组和第四开关组依次沿第二方向并排设置，第一开关组的晶体管芯片和第三开关组的晶体管芯片分别靠近第一辅助金属敷层设置，第二开关组的晶体管芯片和第四开关组的晶体管芯片分别远离第一辅助金属敷层设置。本实用新型的功率半导体模块衬底及功率半导体模块能够降低功率开关的各个芯片之间的热耦合程度、均衡功率开关的各个芯片之间的杂散参数。 | ||
| 搜索关键词： | 功率半导体模块 开关组 敷层 晶体管芯片 衬底 本实用新型 辅助金属 功率金属 第一开关 功率开关 桥臂单元 芯片 并排设置 降低功率 均衡功率 依次设置 热耦合 杂散 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块衬底，其特征在于，包括第一桥臂单元，所述第一桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第一功率金属敷层、第一辅助金属敷层和第二功率金属敷层；所述第二功率金属敷层设有第一功率开关，所述第一功率金属敷层通过所述第一功率开关与所述第二功率金属敷层导电连接；所述第一辅助金属敷层与所述第一功率金属敷层、所述第二功率金属敷层绝缘设置，并且与所述第一功率开关信号连接；其中，所述第一功率开关包括第一开关组、第二开关组、第三开关组和第四开关组，所述第一开关组、第二开关组、第三开关组和第四开关组依次沿第二方向并排设置，开关组分别包括沿所述第一方向设置并且相互连接的晶体管芯片和二极管芯片，所述第一开关组的晶体管芯片和所述第三开关组的晶体管芯片分别靠近所述第一辅助金属敷层设置，所述第二开关组的晶体管芯片和所述第四开关组的晶体管芯片分别远离所述第一辅助金属敷层设置。
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