[实用新型]带多量子阱缓冲层的PHEMT低噪声放大器外延结构有效
| 申请号： | 201820880048.X | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN209071337U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 蒋建 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市苏州高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了带多量子阱缓冲层的PHEMT低噪声放大器外延结构。该结构包括GaAs半绝缘衬底、GaAs‑AlGaAs多量子阱缓冲层、AlGaAs下势垒层、InGaAs沟道层、AlGaAs空间隔离层、掺Si AlGaAs势垒层、AlAs腐蚀阻断层、GaAs高掺杂帽层。相对于常规的低噪声放大器PHEMT而言，带有GaAs‑AlGaAs多量子阱缓冲层的PHEMT可以降低缓冲层中非有意掺杂浓度，沟道载流子的夹断更加干净，可以有效地提高低噪声放大器在小电流时的跨导，从而有利于改善低噪声放大器的噪声系数。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 缓冲层 多量子阱 外延结构 本实用新型 沟道载流子 空间隔离层 下势垒层 噪声系数 半绝缘 常规的 高掺杂 沟道层 势垒层 小电流 有效地 阻断层 衬底 夹断 帽层 掺杂 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.带多量子阱缓冲层的PHEMT低噪声放大器外延结构，其特征在于：该结构包括GaAs半绝缘衬底(1)、GaAs‑AlGaAs多量子阱缓冲层(2)、AlGaAs下势垒层(3)、InGaAs沟道层(4)、AlGaAs空间隔离层(5)、掺SiAlGaAs势垒层(6)、AlAs腐蚀阻断层(7)和GaAs高掺杂帽层(8)；在GaAs半绝缘衬底(1)上依次生长GaAs‑AlGaAs多量子阱缓冲层(2)、AlGaAs下势垒层(3)、InGaAs沟道层(4)、AlGaAs空间隔离层(5)、掺SiAlGaAs势垒层(6)、AlAs腐蚀阻断层(7)、GaAs高掺杂帽层(8)。
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