[实用新型]一种GaAs基高铟组分沟道改性高电子迁移率晶体管材料结构有效
| 申请号： | 201820881076.3 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN208240686U | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 冯巍 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市苏州高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaAs基高铟组分沟道改性高电子迁移率晶体管材料结构，该结构由在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长的InAlAs连续渐变缓冲层(2)、InAlAs固定组分缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、InAlAs空间隔离层(5)、平面掺杂层(6)、InAlAs势垒层(7)、InGaAs重掺杂帽层(8)组成。该材料结构设计了新的InAlAs缓冲层以满足生长高In组分InGaAs沟道层的需求。这种高In沟道层可以增强沟道载流子限制、增加沟道载流子浓度和迁移率，提高器件的高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 高电子迁移率晶体管 沟道载流子 材料结构 缓冲层 改性 高铟 沟道 材料结构设计 本实用新型 渐变缓冲层 空间隔离层 平面掺杂层 重掺杂帽层 高频性能 生长 半绝缘 迁移率 势垒层 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs基高铟组分沟道改性高电子迁移率晶体管材料结构，其特征在于：该结构包括GaAs半绝缘衬底(1)、InAlAs连续渐变缓冲层(2)、InAlAs固定组分缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、InAlAs空间隔离层(5)、平面掺杂层(6)、InAlAs势垒层(7)、InGaAs重掺杂帽层(8)；在GaAs半绝缘衬底(1)上依次生长InAlAs连续渐变缓冲层(2)、InAlAs固定组分缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、InAlAs空间隔离层(5)、平面掺杂层(6)、InAlAs势垒层(7)、InGaAs重掺杂帽层(8)。
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