[实用新型]一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件

摘要

本实用新型公开了一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；N型埋层上设有第一N型深阱、高压N阱、第二N型深阱；高压N阱上设有第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱、第三P阱和第四N阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区；第三P阱内设有第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区。本实用新型在两个N阱之间加入一个P阱，P阱的厚度刚好与左右两边的N阱耗尽而形成具有一定电阻的通路，能够使得双向SCR结构在雪崩击穿导通后具有一个较高的维持电压，有效的防止静电释放器件在导通后因维持电压低而锁住的问题。

主权项

1.一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件，其特征在于：包括P型衬底；所述P型衬底中设有N型埋层；所述N型埋层上从左到右依次设有第一N型深阱、高压N阱、第二N型深阱；所述高压N阱上从左到右依次设有第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱、第三P阱和第四N阱；所述第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区，第一P阱与第二N阱之间跨接有第二N+注入区；第三N阱与第三P阱支架跨接有第三N+注入区，所述第三P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第四N+注入区；所述第一P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，所述第四N+注入区、第二P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。