[实用新型]一种磁体有效
| 申请号： | 201820896301.0 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN208226685U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 丁晓华;吴志坚;代华进 | 申请（专利权）人： | 成都银河磁体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02K1/06 | 分类号： | H02K1/06 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;庞启成 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属于磁体制造技术领域，具体涉及一种磁体，所述磁体上具有至少两个磁峰区域，所述磁峰区域之间存在有磁谷区域，所述磁谷区域对应磁体的厚度小于所述磁峰区域对应磁体的厚度，所述磁体上的减薄区域位于所述磁体的安装区域上。相较于传统等壁厚磁体而言，本申请的磁体，将磁谷区域对应的磁体壁厚减薄，所以，在确保磁体提供符合工作要求磁场的前提下，使磁谷区域处的磁体壁厚减薄，一方面可以减轻磁体重量，另一方面，还节约了磁材料，降低了磁体制作成本；并且，在本申请的方案中，将减薄区域设置在磁体的安装区域上，进一步的提高磁体安装的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 区域对应 安装区域 壁厚减薄 减薄区域 本实用新型 磁体安装 磁体制造 工作要求 磁材料 等壁厚 磁场 申请 节约 制作 | ||
【主权项】：
1.一种磁体，其特征在于：所述磁体上具有至少两个磁峰区域，所述磁峰区域之间存在有磁谷区域，所述磁谷区域对应磁体的厚度小于所述磁峰区域对应磁体的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都银河磁体股份有限公司，未经成都银河磁体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820896301.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冲片分瓣合成结构
- 下一篇：一种用于风扇电动机的外绕式定子冲片
