[实用新型]超接面半导体结构与具有其的金氧半导体元件有效
| 申请号： | 201820896687.5 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN208478344U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种超接面半导体结构与具有其的金氧半导体元件，超接面半导体结构包括：基底、外延层、终端掺杂区以及多个条状掺杂区。基底定义有弯角区与非弯角区。外延层配置在基底上。终端掺杂区环绕弯角区与非弯角区，且终端掺杂区具有面向弯角区的内侧弧面。多个条状掺杂区配置在弯角区的外延层中。每一个条状掺杂区具有末端部。每一个末端部面向内侧弧面，且多个末端部具有不同弯曲角度。本实用新型提供的具有超接面半导体结构的金氧半导体元件可以提升金氧半导体元件在弯角区的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 弯角 掺杂区 金氧半导体元件 半导体结构 接面 末端部 外延层 基底 本实用新型 内侧弧面 终端 与非 击穿电压 配置 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种超接面半导体结构，其特征在于，包括：基底，定义有弯角区与非弯角区；外延层，配置在所述基底上；终端掺杂区，环绕所述弯角区与所述非弯角区，且所述终端掺杂区具有面向所述弯角区的内侧弧面；以及多个条状掺杂区，配置在所述弯角区的所述外延层中，每一个所述条状掺杂区具有末端部，每一个所述末端部面向所述内侧弧面，且至少部分的所述多个末端部具有不同弯曲角度。
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