[实用新型]一种成像传感器基板有效
| 申请号： | 201820911422.8 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN208690262U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈钢 | 申请（专利权）人： | 南京迪钛飞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京恒和顿知识产权代理有限公司 11014 | 代理人： | 蔡志勇 |
| 地址： | 210038 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种成像传感器基板，该基板包含一层有源矩阵基板层、一层光电探测器层、一层闪烁体层。有源矩阵基板层上由一个个像素区域以及外围电路组成，本实用新型通过改进闪烁体层的结构，使成像传感器接收到的射线能准确无误的进入到相对应的传感器像素内，提高成像传感器的精准性。 | ||
| 搜索关键词： | 成像传感器 源矩阵基板 闪烁体层 基板 本实用新型 传感器像素 光电探测器 外围电路 像素区域 射线 改进 | ||
【主权项】：
1.一种成像传感器基板，其特征在于，含有一层有源矩阵基板层、一层光电探测器层、一层闪烁体层，所述有源矩阵基板层上有像素，相对应的，在所述闪烁体层上也有像素通过挡墙互相间隔开并且和有源矩阵基板层上的像素一一对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
