[实用新型]立体硅基模式复用器与解复用器有效
| 申请号： | 201820912449.9 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN208459627U | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 蒋卫锋;程方圆;许吉;万洪丹 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/132;G02B6/138 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及立体硅基模式复用器与解复用器，包括：衬底层，在衬底层上设有下包层，在下包层上设有下层波导，在下层波导上铺设有中间隔离层，在中间隔离层上设有上层波导，在上层波导上覆盖有上覆盖层，下层波导的任意一侧边界和上层波导的任意一侧边界对齐，且下层波导和上层波导的波导宽度中心错位大于0小于5μm。本实用新型通过三维多层波导集成结构，突破传统二维平面波导结构限制，增加器件集成维度，提高器件集成度和灵活性，从而进一步提高系统通信容量。通过三维波导的上下两层波导任意一侧边界对齐，实现基模与高阶模直接立体耦合，克服传统三维模式复用器无法实现模式直接耦合的缺陷，简化器件结构及复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 下层 一侧边界 上层 本实用新型 中间隔离层 解复用器 模式复用 对齐 衬底层 硅基 三维 器件集成度 波导集成 波导结构 二维平面 宽度中心 立体耦合 器件集成 器件结构 三维模式 上下两层 系统通信 直接耦合 覆盖层 复用器 复杂度 高阶模 下包层 包层 多层 基模 维度 上铺 错位 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种立体硅基模式复用器与解复用器，其特征在于，包括：衬底层(1)，在衬底层上设有下包层(2)，在下包层(2)上设有下层波导(4)，在下层波导(4)上铺设有中间隔离层(6)，在中间隔离层上设有上层波导(3)，在上层波导(3)上覆盖有上覆盖层(5)，下层波导(4)的任意一侧边界和上层波导(3)的任意一侧边界对齐，且下层波导(4)和上层波导(3)的波导宽度中心错位大于0小于5μm。
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