[实用新型]一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器有效
申请号: | 201820916140.7 | 申请日: | 2018-06-13 |
公开(公告)号: | CN208767304U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 刘扬;赵亚文;李柳暗 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/8252 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈伟斌 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 实用新型涉及半导体器件集成的技术领域,更具体地,涉及一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器。一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器,其中,从下往上依次包括衬底,应力缓冲层,GaN缓冲层,GaN沟道层,AlGaN势垒层,功率器件两端形成源极和漏极以及二极管的一端形成阴极,功率器件栅极区域形成栅极以及二极管另一端形成阳极。本实用新型器件结构及制备工艺简单,利用二极管电流电压与温度的线性关系,在恒定电压模型下或恒定电流模型下,分别根据电流或电压的变化计算出二极管温度变化。而二极管与功率器件具有相近的温度,在不影响功率器件正常工作的同时能够实现原位监测功率器件温度。 | ||
搜索关键词: | 功率器件 二极管 高温环境 原位探测 传感器 半导体器件集成 阴极 本实用新型 二极管电流 应力缓冲层 恒定电流 恒定电压 器件结构 线性关系 影响功率 原位监测 栅极区域 制备工艺 阳极 衬底 漏极 源极 | ||
【主权项】:
1.一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器,其特征在于,从下往上依次包括衬底(1),应力缓冲层(2),GaN缓冲层(3),GaN沟道层(4),AlGaN势垒层(5),功率器件两端形成源极(6)和漏极(7)以及二极管的一端形成阴极(8),功率器件栅极区域形成栅极(9)以及二极管另一端形成阳极(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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