[实用新型]一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器有效

专利信息
申请号: 201820916140.7 申请日: 2018-06-13
公开(公告)号: CN208767304U 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 刘扬;赵亚文;李柳暗 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L21/8252
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 陈伟斌
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及半导体器件集成的技术领域,更具体地,涉及一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器。一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器,其中,从下往上依次包括衬底,应力缓冲层,GaN缓冲层,GaN沟道层,AlGaN势垒层,功率器件两端形成源极和漏极以及二极管的一端形成阴极,功率器件栅极区域形成栅极以及二极管另一端形成阳极。本实用新型器件结构及制备工艺简单,利用二极管电流电压与温度的线性关系,在恒定电压模型下或恒定电流模型下,分别根据电流或电压的变化计算出二极管温度变化。而二极管与功率器件具有相近的温度,在不影响功率器件正常工作的同时能够实现原位监测功率器件温度。
搜索关键词: 功率器件 二极管 高温环境 原位探测 传感器 半导体器件集成 阴极 本实用新型 二极管电流 应力缓冲层 恒定电流 恒定电压 器件结构 线性关系 影响功率 原位监测 栅极区域 制备工艺 阳极 衬底 漏极 源极
【主权项】:
1.一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器,其特征在于,从下往上依次包括衬底(1),应力缓冲层(2),GaN缓冲层(3),GaN沟道层(4),AlGaN势垒层(5),功率器件两端形成源极(6)和漏极(7)以及二极管的一端形成阴极(8),功率器件栅极区域形成栅极(9)以及二极管另一端形成阳极(10)。
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