[实用新型]一种FLR嵌入JTE的复合终端结构的功率器件有效
申请号: | 201820922085.2 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN211907436U | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 袁俊;黄兴;徐妙玲;倪炜江;胡羽中 | 申请(专利权)人: | 北京世纪金光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 张永革 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种FLR嵌入JTE的复合终端结构的功率器件,自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极,阳极设置在P型区;在外延层的上方设置有P+区和JTE,所述P+区和所述JTE的一端连接;沿JTE设置有若干个FLR;所述FLR的结深大于JTE的厚度。本实用新型通过在功率器件耐压结终端中将传统结终端JTE结构和场限环FLR结构以及浪涌电流耐量增强结构结合起来,工艺简单,通过对JTE结构的进一步空间电场调制,是终端结构对JTE浓度敏感性降低,同时能大幅提高器件终端的反向耐压能力和减少所需耐压终端的芯片面积,以及增强器件的浪涌电流耐量。 | ||
搜索关键词: | 一种 flr 嵌入 jte 复合 终端 结构 功率 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京世纪金光半导体有限公司,未经北京世纪金光半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820922085.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:流体能转换装置及系统
- 下一篇:水上平衡航行器
- 同类专利
- 专利分类