[实用新型]一种FLR嵌入JTE的复合终端结构的功率器件有效

专利信息
申请号: 201820922085.2 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN211907436U 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 袁俊;黄兴;徐妙玲;倪炜江;胡羽中 申请(专利权)人: 北京世纪金光半导体有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人: 张永革
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种FLR嵌入JTE的复合终端结构的功率器件,自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极,阳极设置在P型区;在外延层的上方设置有P+区和JTE,所述P+区和所述JTE的一端连接;沿JTE设置有若干个FLR;所述FLR的结深大于JTE的厚度。本实用新型通过在功率器件耐压结终端中将传统结终端JTE结构和场限环FLR结构以及浪涌电流耐量增强结构结合起来,工艺简单,通过对JTE结构的进一步空间电场调制,是终端结构对JTE浓度敏感性降低,同时能大幅提高器件终端的反向耐压能力和减少所需耐压终端的芯片面积,以及增强器件的浪涌电流耐量。
搜索关键词: 一种 flr 嵌入 jte 复合 终端 结构 功率 器件
【主权项】:
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