[实用新型]铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备有效
申请号: | 201820924646.2 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN208284492U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 任宇航;刘晓燚;罗明新 | 申请(专利权)人: | 浙江尚越新能源开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0749 |
代理公司: | 杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235 | 代理人: | 张德宝 |
地址: | 311100 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备。该铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备在主反应区内每个加热器上分别设置有温度传感器,可反馈加热器的温度,这样就可通过温度传感器和加热器来调控主反应区内的温度,同时主反应区末端设置有荧光光谱仪可反馈硫化镉薄膜的厚度,从而调节产生的硫化镉薄膜的厚度,同时腔门能够打开便于调整,主反应区前端的风机可以防止溶液逆流出主反应区,设备整体分上下部分环绕设计可以减小设备占地面积,且通过该设备镀膜、冲洗、风干一体化,使铜铟镓硒薄膜太阳能电池卷进去到出来就可以直接给到下一个工序,节省了很多的时间,有利于提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 加热器 铜铟镓硒 整体设备 主反应区 化学水 沉积 硫化镉薄膜 温度传感器 主反应 铜铟镓硒薄膜太阳能电池 本实用新型 荧光光谱仪 反馈 溶液逆流 设备整体 生产效率 风干 风机 镀膜 减小 腔门 冲洗 环绕 一体化 调控 | ||
【主权项】:
1.一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备,包括依次设置的放卷辊、若干托辊、张力控制辊和收卷辊,其特征是,所述放卷辊和收卷辊间设置有腔体,放卷辊和收卷辊间的传输通道设置于腔体内,腔体包括主反应区、前段清洗区、后段清洗区和风干区,主反应区内的传输通道上设置有均匀排列设置的传送辊,主反应区内前端顶部固定设置有化学溶液喷头,主反应区内下方位于传送辊间分别设置有加热器,每个加热器上分别设置有温度传感器,前段清洗区和后段清洗区内分别设置有清水喷头,风干区内设置有风机。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的