[实用新型]一种太阳电池有效
| 申请号： | 201820929642.3 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN208706661U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 沈辉;姚志荣;孟蓝翔;蔡伦;张睿 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 宋静娜;郝传鑫 |
| 地址： | 510275 广东省广州市大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型的太阳电池包括：硅基体层、n型发射层、导电层、银前电极、欧姆接触层以及铝背场，以硅基体层作为衬底，所述n型发射层形成于硅基体层，并位于硅基体层上；所述导电层形成于n型发射层，并位于n型发射层上；所述银前电极形成于导电层表面，且向n型发射层延伸，其延伸至所述n型发射层的顶部表面，银前电极之间有间隔；欧姆接触层形成于硅基体层的另一面，铝背场形成于欧姆接触层表面。本实用新型的具有的硅基硫化铟异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池相比具有更好的光学性能，可减少寄生吸收增大短路电流。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基体层 欧姆接触层 前电极 本实用新型 铝背场 硅基异质结太阳电池 异质结太阳电池 导电层表面 导电层形成 顶部表面 短路电流 光学性能 导电层 硫化铟 延伸 衬底 硅基 寄生 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：硅基体层、n型发射层、导电层、银前电极、欧姆接触层以及铝背场，以硅基体层作为衬底，所述n型发射层形成于硅基体层，位于硅基体层上；所述导电层形成于n型发射层，位于n型发射层上，所述n型发射层与硅基体层形成p‑n异质结；所述银前电极形成于导电层表面，且向n型发射层延伸，其延伸至所述n型发射层的顶部表面，银前电极之间有间隔；欧姆接触层形成于硅基体层的另一面，铝背场形成于欧姆接触层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
