[实用新型]一种四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置有效
| 申请号： | 201820930745.1 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN208489218U | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张险峰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 肖平安 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，包括蒸发腔、位于蒸发腔上且与蒸发腔连通的扩散机构以及位于蒸发腔上且与蒸发腔连通的样品交换机构，所述蒸发腔内设置有用于放置基底的旋转台，所述蒸发腔底部设置至少4个出口朝向旋转台的蒸发源，每个蒸发源分别用于蒸发AIGS薄膜的金属层；所述蒸发腔内还设置有用于测试蒸发腔内蒸气压的蒸气压测试仪。通过该装置实现一步法完成多源共蒸发，通过控制蒸发源材料蒸气压对薄膜的生长过程进行精确的控制，提高效率和薄膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发腔 薄膜 蒸气压 蒸发装置 旋转台 蒸发源 连通 本实用新型 蒸发源材料 交换机构 扩散机构 生长过程 装置实现 测试仪 共蒸发 金属层 均匀性 一步法 多源 基底 蒸发 测试 出口 | ||
【主权项】：
1.一种四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，其特征在于，包括蒸发腔、位于蒸发腔上且与蒸发腔连通的扩散机构以及位于蒸发腔上且与蒸发腔连通的样品交换机构，所述蒸发腔内设置有用于放置基底的旋转台，所述蒸发腔底部设置至少4个出口朝向旋转台的蒸发源，每个蒸发源分别用于蒸发AIGS薄膜的金属层；所述蒸发腔内还设置有用于测试蒸发腔内蒸气压的蒸气压测试仪。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
