[实用新型]一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置

摘要

本实用新型公开了一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，包括生长腔和石墨软毡保温层，生长腔的上端连接有密封法兰，密封法兰的中心位置连接有测温窗口，生长腔的外壁上套有感应线圈，生长腔的内部安装有石墨坩埚，石墨软毡保温层包括外侧石墨软毡保温层、底部石墨软毡保温层和上部石墨软毡保温层。本提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，设计在石墨坩埚内侧底部中间放置一个石墨圆柱体来取代碳化硅粉末的摆放空间，减少碳化硅粉末需要的使用空间，以便降低碳化硅粉末使用重量，同时在石墨坩埚内设有阻隔件，保证晶体生长区内的温度、压力等生长条件保持稳定，提高碳化硅单晶的质量。

主权项

1.一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，包括生长腔(1)和石墨软毡保温层(4)，其特征在于：所述生长腔(1)的上端连接有密封法兰(11)，密封法兰(11)的中心位置连接有测温窗口(12)，生长腔(1)的外壁上套有感应线圈(2)，生长腔(1)的内部安装有石墨坩埚(3)，所述石墨软毡保温层(4)包括外侧石墨软毡保温层(41)、底部石墨软毡保温层(42)和上部石墨软毡保温层(43)，外侧石墨软毡保温层(41)的两端分别连接底部石墨软毡保温层(42)和上部石墨软毡保温层(43)，外侧石墨软毡保温层(41)包裹石墨坩埚(3)的外壁，底部石墨软毡保温层(42)包裹石墨坩埚(3)的外侧底部，上部石墨软毡保温层(43)的中心位置开设有测温孔(44)，所述石墨坩埚(3)的上端安装有石墨盖(31)，石墨盖(31)的上表面覆盖有上部石墨软毡保温层(43)，石墨盖(31)的内侧中心位置粘合有籽晶片(5)，石墨坩埚(3)的内部底面中心位置放置有石墨圆柱体(6)，石墨圆柱体(6)一周的石墨坩埚(3)内放置有碳化硅粉末(7)，所述籽晶片(5)的一周连接有阻隔件(8)，阻隔件(8)的下端与石墨坩埚(3)的侧壁连接，阻隔件(8)的表面开设有通气孔(81)，阻隔件(8)将石墨坩埚(3)划分为晶体生长区(32)和过剩气体吸收区(33)，过剩气体吸收区(33)的侧壁上粘合有吸收区籽晶(9)。