[实用新型]一种双巨压阻传感器

摘要

本实用新型公开了一种双巨压阻传感器，包括高压量程和低压量程的巨压阻压力传感器；所述的高压量程巨压阻压力传感器为硅钛异质结压力传感器；所述的硅钛异质结压力传感器自下而上依次是蓝宝石基底层、真空腔体、敏感器件层A、绝缘二氧化硅层和弯曲拉伸的硅应力薄膜顶层；低压量程巨压阻压力传感器为硅镓异质结压力传感器；所述的硅镓异质结压力传感器自下而上依次是蓝宝石基底层、真空腔体、敏感器件层B、绝缘二氧化硅层和无弯曲拉伸的硅应力薄膜顶层。本实用新型显著的提高了井下压力测量的灵敏度和分辨率，同时削弱了非线性误差，能够在整个井下探测范围内（0‑8km）实现统一的高精度压力测量。

主权项

1.一种双巨压阻传感器，其特征在于：包括高压量程巨压阻压力传感器和低压量程巨压阻压力传感器；所述的高压量程巨压阻压力传感器为硅钛异质结压力传感器；所述的硅钛异质结压力传感器自下而上依次是蓝宝石基底层、真空腔体、敏感器件层A、绝缘二氧化硅层和弯曲拉伸的硅应力薄膜顶层；所述的绝缘二氧化硅层设置有四个六棱柱型截面的硅钛异质结传感单元、金属边A、引线A、金属片A、电极A和铝端子A；每个所述的硅钛异质结传感单元包括自内而外依次嵌套的内层硅A、中间层钛和外层硅A，外层硅A和中间层钛的交界处设置外硅钛异质结，中间层钛和内层硅A的交界处设置内硅钛异质结；硅钛异质结传感单元的两端均设置有金属边A，每个金属边A各自通过引线A连接金属片A，金属片A通过其上引出的电极A连接有铝端子A，绝缘二氧化硅层下表面设置的所有结构组成了敏感器件层A；所述的低压量程巨压阻压力传感器为硅镓异质结压力传感器；所述的硅镓异质结压力传感器自下而上依次是蓝宝石基底层、真空腔体、敏感器件层B、绝缘二氧化硅层和无弯曲拉伸的硅应力薄膜顶层；所述的绝缘二氧化硅层下表面设置有四个圆柱型截面的硅镓异质结传感单元、金属边B、引线B、金属片B、电极B和铝端子B；每个所述的硅镓异质结传感单元包括自内而外依次嵌套的内层硅B、中间层镓和外层硅B，外层硅B和中间层镓的交界处设置外硅镓异质结，中间层镓和内层硅B的交界处是内硅镓异质结；硅镓异质结传感单元的两端均设置有金属边B，每个金属边B各自通过引线B连接金属片B，金属片B通过其上引出的电极B连接有铝端子B，绝缘二氧化硅层下表面设置的所有结构组成了敏感器件层B。