[实用新型]纳米级单晶薄膜有效
| 申请号： | 201820963329.1 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN208385458U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 胡卉;朱厚彬;胡文;罗具廷;张秀全;李真宇;李洋洋 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/312;H01L41/39;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李婷;薛义丹 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区港兴*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 提供了一种可以改善单晶薄膜与衬底键合力的纳米级单晶薄膜。所述纳米级单晶薄膜包括纳米级单晶薄膜层、第一过渡层、隔离层、第二过渡层和衬底层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间。本实用新型提供了一种具有减少的内部缺陷和增大的键合力的纳米级单晶薄膜，可减少传输损耗并且可避免纳米级单晶薄膜在切割工艺中发生大面积的解键合现象，从而可以提高纳米级单晶薄膜的使用率和电子器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米级 单晶薄膜 过渡层 隔离层 单晶薄膜层 衬底层 键合力 本实用新型 传输损耗 电子器件 内部缺陷 成品率 增大的 使用率 衬底 键合 切割 | ||
【主权项】：
1.一种纳米级单晶薄膜，其特征在于，所述纳米级单晶薄膜包括：纳米级单晶薄膜层；隔离层；衬底层；以及第一过渡层和第二过渡层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间。
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