[实用新型]一种紫外发光二极管的外延结构有效
| 申请号： | 201820983049.7 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN208352326U | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种紫外发光二极管的外延结构，包括衬底以及依次位于所述衬底上的AlN缓冲层、非掺杂AlaGa1‑aN层、n型AlbGa1‑bN层、多量子阱层、pAlcGa1‑cN电子阻挡层、pAldGa1‑dN空穴导电层；其中：所述多量子阱层由复合垒层和AlxGa1‑xN阱层依次周期性堆叠而成，所述复合垒层由AlyGa1‑yN层和AluInvGa1‑u‑vN层以复合方式构成。本实用新型的优点在于：采用AlGaN/AlInGaN复合垒层代替传统的单层AlGaN垒层，一方面，由于AlInGaN的插入，可以降低有源区中垒层和阱层晶格常数差异导致的压电极化，从而增加载流子在阱层的复合效率；另一方面，控制AlInGaN层的厚度在一定范围之内，避免了单层AlInGaN所造成的晶体质量下降和相分离现象。 | ||
| 搜索关键词： | 垒层 阱层 紫外发光二极管 本实用新型 多量子阱层 外延结构 复合 衬底 单层 载流子 空穴 晶格常数差异 电子阻挡层 周期性堆叠 复合方式 复合效率 压电极化 质量下降 传统的 导电层 非掺杂 相分离 源区 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管的外延结构，包括衬底（1）以及依次位于所述衬底（1）上的AlN缓冲层（2）、非掺杂AlaGa1‑aN层（3）、n型AlbGa1‑bN层（4）、多量子阱层（5）、pAlcGa1‑cN电子阻挡层（6）、pAldGa1‑dN空穴导电层（7）；其特征在于：所述多量子阱层（5）由复合垒层（501）和AlxGa1‑xN阱层（502）依次周期性堆叠而成，所述复合垒层（501）由AlyGa1‑yN层（5011）和AluInvGa1‑u‑vN层（5012）以复合方式构成，所述非掺杂AlaGa1‑aN层（3）中Al组分浓度为0
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