[实用新型]一种衰减片及衰减片膜层结构有效
| 申请号： | 201820988240.0 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN208315722U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 赵海轮;曹乾涛;路波 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人： | 董喜 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型提出了一种衰减片膜层结构，由上到下依次为Au层、TiW层、TiWN层、TiW层和TaN层，最底层为基片。本实用新型中的TiWN层阻止TiW层中大量的Ti原子往金层表面扩散，避免了Ti原子的流失，使得薄膜电路可以承受高温长时间加热，从而极大地提高了衰减片的高温稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减片 本实用新型 膜层结构 高温稳定性 薄膜电路 金层表面 由上到下 最底层 加热 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种衰减片膜层结构，其特征在于，由上到下依次为Au层、TiW层、TiWN层、TiW层和TaN层，最底层为基片。
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