[实用新型]双面电容器结构有效
| 申请号： | 201820999437.4 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN208336219U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双面电容器结构，包括：半导体衬底；下电极层，形成于半导体衬底上，下电极层的截面形状包括U型，其中，U型下电极层两侧的高度相差110nm~180nm；电容介质层，覆盖于下电极层的内表面及外表面；上电极层，覆盖于电容介质层的外表面。本实用新型采用不同的开孔方式，通过控制电容开孔面积及使用支撑层刻蚀气体源，从而形成密度更密，机械强度更强且可保证电容值的双面电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 下电极层 本实用新型 电容介质层 电容器结构 衬底 开孔 半导体 电容器 截面形状 刻蚀气体 控制电容 电容 电极层 内表面 支撑层 覆盖 保证 | ||
【主权项】：
1.一种双面电容器结构，其特征在于，包括：半导体衬底；下电极层，形成于所述半导体衬底上，所述下电极层的截面形状包括U型，其中，所述U型下电极层两侧的高度相差110nm～180nm；电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面。
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