[实用新型]一种提高波长短于365nm紫外光光取出的LED外延结构

摘要

本实用新型公开了一种提高波长短于365nm紫外光光取出的LED外延结构。当今波长短于365nm的紫外光LED外延结构若采用氮化镓材料会有吸收波长短于365nm的光、造成较低的光取出效率和外部量子效率的问题，存在不足。本实用新型公开了一种提高波长短于365nm紫外光光取出的LED外延结构，其中：所述缓冲层、n型欧姆接触层、p型势垒层和n^＋型欧姆接触层均由带隙宽度不小于二极管发光光子能量的氮化镓系材料所构成。本实用新型的优点在于：采用高掺杂(>1e19cm^‑3)且厚度薄(<10nm)的n^＋型氮化铝镓结构取代p型氮化镓作为接触层,利用界面穿隧效应使电极和n^＋型氮化铝镓结构形成欧姆接触，如此不需成长p型氮化镓去当电极的接触层，不让p型氮化镓层吸收紫外光而降低光取出效率。

主权项

1.一种提高波长短于365nm紫外光光取出的LED外延结构，包括在衬底(1)上依次生长的缓冲层(2)、n型欧姆接触层(3)、有源层(4)、p型势垒层(5)、n+型欧姆接触层(6)；其特征在于：所述缓冲层(2)、n型欧姆接触层(3)、p型势垒层(5)和n+型欧姆接触层(6)均由带隙宽度不小于二极管发光光子能量的氮化镓系材料所构成，所述衬底(1)由蓝宝石材料所制成。