[实用新型]太阳能电池芯片及太阳能电池组件有效
| 申请号： | 201821014382.3 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN208781858U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 霍元杰;李静益 | 申请（专利权）人： | 华夏易能投资（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄;王卫忠 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴经济开发区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种太阳能电池芯片，包括：衬底基板、背电极层、光转化层和前电极层，背电极层设于衬底基板上；光转化层设于所述背电极层远离衬底基板的一侧，并且所述光转化层的边沿到所述背电极层的边沿具有预设的距离，前电极层设于所述光转化层远离背电极层的一侧，并且前电极层的边沿和所述光转化层的边沿对齐。在光转化层和背电极之间形成阶梯结构，避免加工过程中切除后的导电材料会粘附在切面上，导致前电极和背电极并联搭接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光转化层 背电极层 衬底基板 前电极层 太阳能电池芯片 背电极 太阳能电池组件 导电材料 阶梯结构 对齐 前电极 并联 搭接 预设 粘附 切除 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池芯片，其特征在于，包括：衬底基板；背电极层，设于衬底基板上；光转化层，设于所述背电极层远离衬底基板的一侧，并且所述光转化层的边沿到所述背电极层的边沿具有预设的距离；前电极层，设于所述光转化层远离背电极层的一侧，并且前电极层的边沿和所述光转化层的边沿对齐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
