[实用新型]集成电路存储器及半导体器件

摘要

本实用新型提供一种集成电路存储器及半导体器件，所述集成电路存储器包括基底，基底中形成有多个有源区以及与有源区相交的多条字线，每一有源区上设置有一位线接触，位线接触位于相邻两条字线之间的基底上；多条位线，位于基底上，位线与位线接触电性连接；第一间隔材料层和第二间隔材料层，位于基底上且位于相邻位线之间；绝缘材料层，覆盖位线；其中，位线包括间距倍增形成的导电层及阻挡层，导电层的底部经由阻挡层与位线接触电性连接，阻挡层还延伸覆盖于导电层位于第一间隔材料层的侧面。本实用新型中，阻挡层可以形成于位线的侧面和底面，能够更好的防止位线金属扩散到位线接触，从而提高器件的性能。

主权项

1.一种集成电路存储器，其特征在于，包括：基底，所述基底中形成有多个有源区以及与所述有源区相交的多条字线，每一所述有源区上设置有一位线接触，所述位线接触位于相邻两条所述字线之间的所述基底上；多条位线，位于所述基底上，所述位线与所述位线接触电性连接；第一间隔材料层和第二间隔材料层，位于所述基底上且位于相邻所述位线之间；绝缘材料层，覆盖所述位线；其中，所述位线包括间距倍增形成的导电层及阻挡层，所述导电层的底部经由所述阻挡层与所述位线接触电性连接，所述阻挡层还延伸覆盖于所述导电层位于所述第一间隔材料层的侧面。