[实用新型]一种半导体制备装置以及砷化镓半导体制备装置有效
| 申请号： | 201821021064.X | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN209243237U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 雷仁贵;肖亚东;谈笑天 | 申请（专利权）人： | 汉能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 宋丹氢;张天舒 |
| 地址： | 101407 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体制备装置以及砷化镓半导体制备装置，应用于水平布里奇曼法半导体制备，其中该半导体制备装置包括第一炉体和第二炉体，所述第一炉体和第二炉体分别单独设置温度控制装置，所述第一炉体和所述第二炉体由中间管道连接，其中，在所述中间管道的外周包覆有保温材料。本实用新型的装置实现了有效地独立控制高温区与低温区的温度，避免了由于出现石英管变形和开裂等导致的多晶料氧化或砷泄露，以及多晶料尾部合成不完全等问题；此外，由于高温区与中温区之间设置适当的保温措施，使得蒸发的组分得以完全与其他组分反应，得到配比均匀的半导体化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体制备装置 炉体 本实用新型 中间管道 多晶料 高温区 砷化镓 半导体化合物 温度控制装置 半导体制备 布里奇曼法 保温材料 保温措施 单独设置 独立控制 装置实现 组分反应 低温区 石英管 有效地 中温区 包覆 配比 外周 蒸发 变形 泄露 合成 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制备装置，应用于水平布里奇曼法半导体制备，其特征在于，包括第一炉体和第二炉体，所述第一炉体和第二炉体分别单独设置温度控制装置，所述第一炉体和所述第二炉体由中间管道连接，其中，在所述中间管道的外周包覆有保温材料。
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