[实用新型]生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱有效
| 申请号： | 201821025819.3 | 申请日： | 2018-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN208570525U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李国强;高芳亮;张曙光;徐珍珠;余粤锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0304;H01L33/06;H01L33/32;H01S5/30 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱，该InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括Si/石墨烯复合衬底、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱，生长在n型掺杂GaN纳米柱顶部上的InGaN/GaN多量子阱，生长在InGaN/GaN多量子阱顶部的p型掺杂GaN纳米柱。本实用新型的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱纳米柱缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米柱 石墨烯 衬底 生长 复合 制备 本实用新型 光学性能 电学 | ||
【主权项】：
1.生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于，包括Si/石墨烯复合衬底(1)、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱(2)，生长在n型掺杂GaN纳米柱顶部上的InGaN/GaN多量子阱(3)，生长在InGaN/GaN多量子阱顶部的p型掺杂GaN纳米柱(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
